Генератор імпульсних напруг для повірки високовольтних дільників напруги

Автор(и)

  • Alexander Bortsov Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут"

DOI:

https://doi.org/10.20998/2079-3944.2020.1.08

Ключові слова:

високовольтний дільник напруги, генератор імпульсів напруги, MOSFET – транзистор, ефект Міллера, коефіцієнт ділення, форма імпульсу напруги, амплітуда імпульсу напруги, фронт імпульсу напруги, спад імпульсу напруги

Анотація

Створено й експериментально досліджено генератор імпульсів напруги для повірки високовольтних дільників напруги. У генераторі як ключовий елемент використано високовольтний швидкодіючий MOSFET – транзистор. Для усунення ефекту Міллера навантаження включено в витік MOSFET – транзистора. Навантаження узгоджено з виходом генератора. Генератор підключається до об'єкта випробувань за допомогою екранованої кручений пари довжиною 0,5 метра. Вплив ємності навантаження та екранованої крученої пари компенсується RL – ланцюгом, включеним на виході генератора. Таке включення навантаження дозволило отримати час наростання імпульсу напруги рівним часу комутації MOSFET – транзистора. Генератор має наступні амплітудно-тимчасові характеристики: форма імпульсу напруги – прямокутна, амплітуда імпульсу напруги – 350 В, тривалість фронту імпульсу напруги не більше 25 нс, викид на фронті імпульсу напруги не перевищує 3%, тривалість спаду імпульсу напруги не більше 40 нс. Тривалість імпульсу напруги плавно регулюється від 2 мкс до 65 мкс. Генератор імпульсних напруг використано при метрологічної повірці на низькій напрузі пристрою для вимірювання імпульсів високої напруги УІВН-ОДН-1,2 (м Артемівськ) в 2016р. Експериментальні дослідження показали хороший збіг метрологічних характеристик УІВН-ОДН-1,2 на низької і на високій напрузі. Таким чином, за допомогою генератора можна повіряти на низької напрузі високовольтні дільники напруги з коефіцієнтом ділення до 50000. Генератор простий у виготовленні і не вимагає складного налагоджування.

Посилання

Kuzhekin I.P. Ispytatel’nyye ustanovki i izmereniya na vysokom napryazhenii. Moscow: Energiya. 1980. 136 p.

Shvab A. Izmereniya na vysokom napryazhenii. (Iz-meritel’nyye pribory i sposoby izmereniya). Per. s nem. Mos-cow: Energiya. 1973. 232 p.

Kremnev V.V., Mesyats G.A. Metody umnozheniya i trans-formatsii impul’sov v sil’notochnoy elektronike. Novosibirsk: Nauka. 1987. 226 p.

http://www.rigol.com

Khorovits P., Khill U. Iskusstvo skhemotekhniki: V 2-kh tomakh. Per. s angl. Moscow: Mir. 1983. – T.1. 598 p.

http://www.irf.com

Semenov B.YU. Silovaya elektronika ot prostogo k slozhno-mu. Moscow: SOLON-Press. 2005. 416 p.

##submission.downloads##

Опубліковано

2020-12-18

Номер

Розділ

Cильні електричні та магнітні поля